日前，Tower Semiconductor宣布扩展其电源管理平台，发布其最先进的第二代65nm BCD，将其工作范围扩展至24V，并将RDSON降低20%该公司还在其180纳米BCD平台上添加了深沟槽隔离，可将芯片尺寸缩小40%，最高可达125V新版本满足了对更高电压和更大功率IC日益增长的需求，进一步巩固了Tower在功率器件领域的领先市场地位
Tower的65nm BCD平台以其在功耗性能，成本和集成竞争力方面的领先优势，被誉为一流的亚90nm BCD技术第二代65纳米BCD受益于功率性能和芯片尺寸降低了20%，这是由于器件的LDMOS RDSON降低至16V，电压扩展至24V运行这些进步满足了计算和消费市场对单芯片高功率转换器的需求，包括用于CPU和GPU的高功率稳压器，以及充电器，高功率电机驱动器和功率转换器等应用
该公司的180nm BCD在电压覆盖范围，隔离方案，功率性能，芯片尺寸和掩膜数方面都是业界最宽的一流平台180纳米BCD深沟槽隔离方案在单个IC中提供了更好的抗扰度，并且在高电压下具有灵活性您可以选择多种隔离方案，并将芯片尺寸缩小高达40%
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